Analisis Mikrostruktur Bahan

Wafer proses lanjutan-peringkat penyediaan sampel FIB dan perkhidmatan analisis TEM menyediakan penyediaan sampel yang tepat dan penyelesaian analisis struktur untuk cip proses lanjutan dengan

GRGTEST Metrology menyediakan perkhidmatan analisis pancaran ion fokus dwi (DB-FIB) profesional. Perkhidmatan ujian popular termasuk bahagian sampel TEM untuk proses lanjutan (14 nm dan ke bawah),

Mikroskopi elektron penghantaran (TEM) telah menjadi instrumen analisis yang sangat diperlukan dalam bidang bahan dan semikonduktor. Ia ialah instrumen optik elektron yang menggunakan pancaran

Peralatan pemotongan wafer dan perkhidmatan pengimejan SEM ialah sokongan teknologi utama untuk sains bahan, industri elektronik dan penyelidikan bioperubatan, dan amat sesuai untuk pemerhatian

Mikroskop daya atom Bruker Dimension ICON6 menyokong 12 mod, termasuk sentuhan, ketukan dan ketukan daya puncak, untuk memenuhi keperluan ujian bagi sampel yang berbeza dan menyediakan kaedah ujian

EDS ialah singkatan kepada Energy Dispersive Spectrometer, iaitu kaedah analisis spektroskopi penyebaran tenaga X{0}}ray. Prinsipnya adalah berdasarkan fakta bahawa unsur yang berbeza memancarkan

Compared to traditional gallium-ion focused ion beam (Ga-FIB), PFIB utilizes a more powerful xenon (Xe) ion beam, achieving a maximum current of 2.5 μA at 30 keV energy, which increases its etching