DB-FIB (Dwi-Rasuk Ion Fokus Rasuk)

DB-FIB (Dwi-Rasuk Ion Fokus Rasuk)
Butir-butir:
GRGTEST Metrology menyediakan perkhidmatan analisis pancaran ion fokus dwi (DB-FIB) profesional. Perkhidmatan ujian popular termasuk bahagian sampel TEM untuk proses lanjutan (14 nm dan ke bawah), analisis hotspot FA (termasuk analisis kecacatan keratan-titik liputan yang ditangkap oleh kaedah berbeza seperti OBIRCH) dan pemesinan bahagian tetap-titik silang-konvensional.
Hantar pertanyaan
Muat turun
Description/kawalan
Parameter teknikal

Kandungan/Skop Perkhidmatan dan Item Pengujian

 

a. Sampel Bahagian-TeM Nipis

Aplikasi penting bagi dwi-mikroskop rasuk ion fokus rasuk (DB-FIB) ialah penyediaan sampel ultranipis untuk mikroskop elektron penghantaran (TEM). GRGTEST Metrology boleh menyediakan item ujian berikut untuk aplikasi ini:

 

Kandungan Perkhidmatan

Item Ujian

Unit Sebutharga

Jenis Sampel

Sampel XS Berasaskan Silikon (Si) (Bahagian-Rentas) Penyediaan Sampel

Setiap (ea)

Cip proses lanjutan pada 14nm dan ke bawah; cip pada 28nm, 40nm, 55nm dan ke atas

PV Sampel Berasaskan Silikon (Si) (pandangan-Pelan) Penyediaan Sampel

Setiap (ea)

Cip proses lanjutan pada 14nm dan ke bawah; cip pada 28nm, 40nm, 55nm dan ke atas

Sampel XS Berasaskan bukan-silikon (Bahagian-Rentas) Penyediaan Sampel

Jam (j)

Sampel bukan-berasaskan silikon, termasuk Gallium Arsenide (GaAs), Gallium Nitride (GaN), Silicon Carbide (SiC), dsb.

PV Sampel Berasaskan bukan-silikon (paparan-Pelan) Penyediaan Sampel

Jam (j)

Sampel bukan-berasaskan silikon, termasuk Gallium Arsenide (GaAs), Gallium Nitride (GaN), Silicon Carbide (SiC), dsb.

Penyediaan Sampel Khas

Jam (j)

Pelbagai sampel bahan baharu, termasuk bahan bateri litium, bahan elektrod graphene, dsb.

 

b. Analisis bahagian-Hotspot FA

Item Ujian

Unit Sebutharga

Jenis Sampel

Analisis bahagian-Rentas Hotspot FA (termasuk titik liputan yang ditangkap oleh kaedah seperti OBIRCH;-ujian sehenti termasuk tangkapan tempat liputan tersedia)

Jam (j)

Sampel semikonduktor: Wafer, IC, komponen, MEMS, laser, dsb.

 

c. Pemprosesan bahagian-Konvensional

Item Ujian

Unit Sebutharga

Jenis Sampel

Pemprosesan-bahagian silang yang disasarkan

Jam (j)

Sampel semikonduktor: Wafer, IC, komponen, PCB, MEMS, laser, dsb.;Sampel bukan{1}}separa konduktor lain

Pemprosesan-Rentas{1}}yang tidak disasarkan

Jam (j)

Sampel semikonduktor: Wafer, IC, komponen, PCB, MEMS, laser, dsb.;Sampel bukan{1}}separa konduktor lain

 

Kitaran Pengujian

 

Kitaran ujian standard ialah 3 hari kalendar. Untuk keperluan khas, kami boleh menyediakan sebut harga dengan masa respons yang berbeza 48j, 24j dan 12j.

 

Kelebihan Kami

 

Ahli pasukan GRGTEST Measurement mempunyai pengalaman yang relevan dalam proses pembuatan wafer lanjutan. Kami mematuhi pendekatan -pelanggan dan komited untuk menyediakan perkhidmatan ujian yang tepat, tepat pada masanya dan komprehensif.

GRGTEST Measurement ialah syarikat ujian-pihak ketiga-yang terbesar yang disenaraikan di China. Platform kami mempunyai mekanisme pengurusan yang kukuh dan-keupayaan ujian dan analisis proses penuh yang komprehensif, membolehkan kami menyediakan pelanggan analisis yang tepat pada masanya dan berwibawa untuk projek yang lengkap.

 

Keperluan Sampel

 

kontang; sampel tidak boleh mengandungi sebarang komponen cecair; stabil di bawah penyinaran pancaran ion (sesetengah sampel organik tidak dapat dikesan); dimensi secara amnya tidak melebihi 10cm*10cm*5cm (panjang*lebar*tinggi).

 

 

Cool tags: db-fib (dual-beam focused ion beam), China db-fib (dwi-beam focused ion beam) pembekal perkhidmatan

Hantar pertanyaan